KREMNIYDA YEVROPIY ATOMLARINING DIFFUZIYA JARAYONLARINI O‘RGANISH - Kurbanova U.X.; Xusanboyeva F.R. (SAMARALI TA’LIM VA BARQAROR INNOVATSIYALAR JURNALI, 2026)
Mazkur tadqiqotda kremniy (Si) kristall panjarasida yevropiy (Eu) atomlarining diffuziya jarayonlari nazariy modellashtirish asosida chuqur o‘rganildi. Tadqiqotda atomlarning material chuqurligi bo‘yicha taqsimlanishi, diffuziya chuqurligining vaqt va haroratga bog‘liqligi, shuningdek dopant atomlarning kristall panjarada tutib qolish hodisasi (trapping effekti) tahlil qilindi. Fick qonunlari va Arrhenius tenglamasi asosida matematik model qo‘llanib, atomlarning sirtga yaqin qatlamlarda maksimal konsentratsiyaga ega bo‘lishi, chuqurlik ortishi bilan eksponensial kamayishi aniqlandi. Tadqiqot natijalari yevropiy atomlarining Si kristall panjarasida diffuziya jarayonlarini optimallashtirish, atomlarning notekis taqsimlanishini kamaytirish va Si asosidagi optoelektron qurilmalarni samarali ishlab chiqarish bo‘yicha amaliy tavsiyalar berish imkonini beradi. Shuningdek, tadqiqot Eu atomlarining fotonika va optoelektronika qurilmalaridagi potentsial qo‘llanilishini kengaytirishga yordam beradi.