Ge₁₋ₓSnₓ qattiq qotishmasining elektron tuzilishini modellashtirish va tahlil qilish - Jumaniyozova Darmonjon Ròzmetovna (SAMARALI TA’LIM VA BARQAROR INNOVATSIYALAR JURNALI, 2025)
Mazkur maqolada Ge₁₋ₓSnₓ qattiq qotishmalarining elektron tuzilishini modellashtirish va tahlil qilish jarayonlari yoritilgan. Tadqiqotda elektron zonalar tuzilishining o‘zgarishi Sn konsentratsiyasiga bog‘liq holda o‘rganilgan. Kompyuter modellashtirish usullari yordamida energetik zonalar oralig‘i, to‘g‘ridan-to‘g‘ri va bilvosita o‘tishlar orasidagi farqlar, hamda qattiq qotishmaning optik va elektr xossalari tahlil qilindi. Natijalar Ge–Sn tizimining yarim o‘tkazgich sifatidagi imkoniyatlarini kengaytirish hamda nanoelektronika sohasida qo‘llash istiqbollarini aniqlashga xizmat qiladi.