KREMNIYDA YEVROPIY ATOMLARINING DIFFUZIYA JARAYONLARINI O‘RGANISH
Keywords:
kremniy, yevropiy, diffuziya, yarimo‘tkazgich, doplash, optoelektronika, trapping effekti, haroratga bog‘liqlik.Abstract
Mazkur tadqiqotda kremniy (Si) kristall panjarasida yevropiy (Eu) atomlarining diffuziya jarayonlari nazariy modellashtirish asosida chuqur o‘rganildi. Tadqiqotda atomlarning material chuqurligi bo‘yicha taqsimlanishi, diffuziya chuqurligining vaqt va haroratga bog‘liqligi, shuningdek dopant atomlarning kristall panjarada tutib qolish hodisasi (trapping effekti) tahlil qilindi. Fick qonunlari va Arrhenius tenglamasi asosida matematik model qo‘llanib, atomlarning sirtga yaqin qatlamlarda maksimal konsentratsiyaga ega bo‘lishi, chuqurlik ortishi bilan eksponensial kamayishi aniqlandi. Tadqiqot natijalari yevropiy atomlarining Si kristall panjarasida diffuziya jarayonlarini optimallashtirish, atomlarning notekis taqsimlanishini kamaytirish va Si asosidagi optoelektron qurilmalarni samarali ishlab chiqarish bo‘yicha amaliy tavsiyalar berish imkonini beradi. Shuningdek, tadqiqot Eu atomlarining fotonika va optoelektronika qurilmalaridagi potentsial qo‘llanilishini kengaytirishga yordam beradi.
References
. Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 2021.
. Pierret R. Semiconductor Device Fundamentals. Pearson, 2019.
. Pavesi L., Lockwood D. Silicon Photonics. Springer, 2018.
. Campbell I. Silicon Photonics: An Introduction. Cambridge University Press, 2020.
. Ashcroft N., Mermin N. Solid State Physics. Cengage Learning, 2016.
. Mehrer H. Diffusion in Solids. Springer, 2019.
. Tu K., Mayer J., Feldman L. Electronic Thin Film Science. Wiley, 2018.
.Schroder D. Semiconductor Material and Device Characterization. Wiley, 2018.
. Chen W. Semiconductor Nanostructures. CRC Press, 2022.
. Zikrillayev N.F. et al. Magnetic Properties of Silicon Doped with Europium Atoms. Journal of Nano and Electronic Physics, 15(6): 06001, 2023
