Ge₁₋ₓSnₓ qattiq qotishmasining elektron tuzilishini modellashtirish va tahlil qilish
Keywords:
Ge₁₋ₓSnₓ, yarim o‘tkazgich, elektron tuzilish, zona energiyasi, modellashtirish, qattiq qotishma.Abstract
Mazkur maqolada Ge₁₋ₓSnₓ qattiq qotishmalarining elektron tuzilishini modellashtirish va tahlil qilish jarayonlari yoritilgan. Tadqiqotda elektron zonalar tuzilishining o‘zgarishi Sn konsentratsiyasiga bog‘liq holda o‘rganilgan. Kompyuter modellashtirish usullari yordamida energetik zonalar oralig‘i, to‘g‘ridan-to‘g‘ri va bilvosita o‘tishlar orasidagi farqlar, hamda qattiq qotishmaning optik va elektr xossalari tahlil qilindi. Natijalar Ge–Sn tizimining yarim o‘tkazgich sifatidagi imkoniyatlarini kengaytirish hamda nanoelektronika sohasida qo‘llash istiqbollarini aniqlashga xizmat qiladi.
References
Oehme M. et al. “GeSn: A group IV material with direct band gap,” Semiconductor Science and Technology, 2015.
Wirths S. et al. “Direct bandgap GeSn alloys for optoelectronic applications,” Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 2016.
Gupta S. et al. “Sn incorporation in Ge for bandgap engineering,” Applied Physics Letters, 2013.
Moontragoon P., Ikonic Z., Harrison P. “Band structure calculations of GeSn alloys,” Semiconductor Science and Technology, 2012.
