GaAs1–δBiδ kvant o‗rali (ZnSe)1–x(Ge2)x qattiq qorishmaning fotoelektrik xossalari - A.Y.Boboyev; I.M.Soliyev (NAZARIY VA AMALIY FANLARDAGI USTUVOR ISLOHOTLAR VA ZAMONAVIY TA’LIMNING INNOVATSION YO’NALISHLARI, 2025)
Ushbu maqolada turli xil nanokiritmalarga ega bo‗lgan GaAs1–δBiδ kvant o‗rali (ZnSe)1–x(Ge2)x qattiq qorishmaning fotoelektrik xossalarini tadqiq etish bo‗yicha o‗tkazilgan eksperimental tadqiqot natijalari keltirilgan. Mazkur geterotuzilmaning yorug‗likka sezuvchanlik foton energiyasi 1,61; 1,97 va 2,63 eV da uchta asosiy pik bilan tavsiflanadi. Spektrlarning batafsil tahlili shuni ko‗rsatdiki, maksimal intensivlikka ega bo‗lgan o‗rta pik murakkab tuzilishga ega bo‗lib, bu esa 2,1 ’ 2,3 eV energetik oralig‗ida qo‗shimcha, to‗rtinchi pikni aniqlash imkonini berdi. Aniqlangan piklar plyonka subkristallitlari chegaralarida hosil bo‗lgan germaniy nanokristallari energetik spektrlari, shuningdek epitaksial qatlamning sirtga yaqin sohasida hosil bo‗lgan GaAs₁–δBiδ kvant o‗ralari bilan mos keladi.