Vismut hosil qiluvchi aralashma eritmadan o‘stirilgan n-GaAs tagliklariga o‘stirilgan (ZnSе)1–х–у(Gе2)х(GaAs1–δBiδ)у qattiq qorishma birikmalarini taqsimlanishi
Keywords:
yarim o„tkazgich, epitaksial plyonka, qattiq qorishma, rentgeno strukturaviy tahlil, (ZnSe)₁₋ₓ₋ᵧ(Ge₂)ₓ(GaAs₁₋δBiδ)ᵧ, molekulyar kirishmalar, n-GaAs taglik.Abstract
Ushbu ishda suyuq fazali epitaksiyalash jarayonida majburiy sovutish
tizimida vismut hosil qiluvchi eritmadan (100) yo„nalishli n-GaAs tagliklari ustiga
o„stirilgan (ZnSe)₁₋ₓ₋ᵧ(Ge₂)ₓ(GaAs₁₋δBiδ)ᵧ qattiq qorishmalarning rentgeno-strukturaviy
xossalari eksperimental jihatdan o„rganildi. Rentgen mikroanalizator yordamida olingan
natijalar asosida epitaksial qatlam qalinligi bo„yicha ZnSe, Ge₂ va GaAs₁₋δBiδ
molekulalarining taqsimlanish profillari tahlil qilindi. Tadqiqotlar natijasida epitaksial
plyonkalarda tarkibiy elementlarning molyar nisbati (0≤x≤0,725; 0≤y≤0,638) chegarasida
o„zgarib borishi aniqlanib, taglik va plyonka orasida tor energetik sohaga ega bo„lgan Ge
va GaAs₁₋δBiδ bilan boyitilgan qatlam hosil bo„lishi kuzatildi. Ushbu natijalar
yarimo„tkazgichli qattiq eritmalar va epitaksial strukturalarning fizik-mexanik hamda
elektron xossalarini maqsadli boshqarish imkoniyatlarini kengaytiradi.
References
Белоус А.И Ефименко С.А. Турцевич А.С. Полупроводниковая силовая
электроника. Москва: Техносфера, 2013. 216 с.
Марков В.Ф., Мухамедзянов Х.Н., Маскаева Л.Н. Материалы современной
электроники. Екатеринбург Издательство Уральского университета, 2014. 272 c.
Zainabidinov S.S., Mansurov Kh.J., Boboev A.Y., Usmonov J.N. The Mechanism of
Current Transfer in n-GaAs – p-(ZnSe)₁₋ₓ₋ᵧ(Ge₂)ₓ(GaAs₁₋δBiδ)ᵧ Heterostructures. East
European Journal of Physics, 3 (2024), 287–292.
Saidov A.S., Kalanov M., Saparov D.V., Usmonov Sh.N., Eshonkhojaev D.A., Tagaev
M.B., Akhmedov A.M. Structural Features of the Epitaxial Layer of the
(GaAs)₁₋ᵧ₋z(Ge₂)ᵧ(ZnSe)z Solid Solution Grown from a Bismuth Solution Melt. e-Journal
of
Surface
www.innovativepublication.uz
Science
and
Nanotechnology,
(2024).
