GaAs1–δBiδ kvant o‗rali (ZnSe)1–x(Ge2)x qattiq qorishmaning fotoelektrik xossalari
Keywords:
spektral fotosensitivlik, qo‗shimcha atom (primyess), qattiq eritma, atom birikmasi, geterotuzilmalar, nanokristall, kvant qudug‗i.Abstract
Ushbu maqolada turli xil nanokiritmalarga ega bo‗lgan GaAs1–δBiδ
kvant o‗rali (ZnSe)1–x(Ge2)x qattiq qorishmaning fotoelektrik xossalarini tadqiq etish
bo‗yicha
o‗tkazilgan
eksperimental
tadqiqot
natijalari
keltirilgan.
Mazkur
geterotuzilmaning yorug‗likka sezuvchanlik foton energiyasi 1,61; 1,97 va 2,63 eV da
uchta asosiy pik bilan tavsiflanadi. Spektrlarning batafsil tahlili shuni ko‗rsatdiki,
maksimal intensivlikka ega bo‗lgan o‗rta pik murakkab tuzilishga ega bo‗lib, bu esa 2,1 ’
2,3 eV energetik oralig‗ida qo‗shimcha, to‗rtinchi pikni aniqlash imkonini berdi.
Aniqlangan piklar plyonka subkristallitlari chegaralarida hosil bo‗lgan germaniy
nanokristallari energetik spektrlari, shuningdek epitaksial qatlamning sirtga yaqin sohasida
hosil bo‗lgan GaAs₁–δBiδ kvant o‗ralari bilan mos keladi.
References
Блохин С.А., Сахаров А.В., Надточий А.М. и др. Фотоэлектрические
преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs. Физика и
техника полупроводников. 2009, том 43, № 4, с. 537-542; DOI:
1134/S1063782609040204
Андреев В.М., Хвостиков В.П., Ларионов В.Р. и др. Высокоэффективные
концентраторные (2500 солнц) AlGaAs/GaAs-солнечные элементы. Физика и
техника полупроводников 1999, том 33, №. 9, с.1070-1072.
Масафуми Ю., Фрэнк Д., Гейс Ф., Николас Дж. Многопереходные солнечные
элементы прокладывают путь к сверхвысокой эффективности, Журнал прикладной
физики. 2021, том.129, c. 240901; https://doi.org/10.1063/5.0048653
Gui J.L., Jingfeng B., Minghui S., Jianqing L., Weiping X., Meichun H. III-V Multi
Junction Solar Cells. Optoelectronics – Advanced Materials and Devices. 2013, Chapter
, p. 446-450. DOI: 10.5772/50965
Kunrun Lu. Comparison and Evaluation of Different Types of Solar Cells. Applied
and Computational Engineering 2023, Vol. 23, Iss.1, p. 263-270; DOI:10.54254/2755
/23/20230664
Anup B., Bishweshwar P., Gunendra P. O., Jiwan A., Mira P., Prem S.S. Novel
Materials in Perovskite Solar Cells: Efficiency, Stability, and Future Perspectives.
Nanomaterials, 2023, Vol. 13, Iss. 11, p. 1724; https://doi.org/10.3390/nano13111724
Зайнабидинов С., Саидов А., Бобоев А., Усмонов Дж. Особенности свойств
поверхности твердого раствора полупроводника (GaAs)1 – x – у(Ge2)x(ZnSe)y с
квантовыми точками ZnSe. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и
нейтронные исследования, 2021, том. 15, № 1. С. 94-99, DOI:
1134/S102745102101016X
Alfimova D.L., Lunin L.S., Lunina M.L. Growth and properties of GaYIn1-yPzAs1-x
zBix solid solutions on GaP substrates. Inorganic Materials 2014, vol. 50, no 2, p. 113
; DOI: 10.1134/S0020168514020010
Priyanka V, Balbir S.P., Nagesh T. Synthesis and investigation of topological ehavior
and structural modification in Se-Te-Ge-Bi nanostructured alloys. Applied Surface
Science Advances 2022, Vol. 8, р. 100220; https://doi.org/10.1016/j.apsadv.2022.100220
Зайнабидинов С.З., Саидов А.С., Бобоев А.Й., Абдурахимов Д.П. Структура,
морфология
и
фотоэлектрические
свойства
n-GaAs–p-(GaAs)1-x(Ge2)х
гетероструктуры. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана Сер. Естественные науки,
, №1, с. 72-87. DOI: 10.18698/1812-3368-2022-1-72-87.
Li, D.C., Yang, M., Zhao, S.Z., Cai, Y.Q., Feng, Y.P. First principles study of
Bismuth alloying effects in GaAs saturable absorber. Opt. Express 2012, Vol. 20, p.
–11580;
